日本计划成立尖端半导体研究技术中心
2022-11-25 11:27:59 阅读次

11月11日，日本经济产业省宣布将于2022年年底成立芯片研发机构“尖端半导体技术中心(LSTC)”。同时，将成立Rapidus公司作为下一代半导体的量产基地。具体内容包括：

（1）研究开发重点：基于日美合作的2nm半导体集成化技术和短周转时间（TAT）制造技术的研发。LSTC计划在2025-2030年左右具备大规模生产2nm先进制程半导体的能力，于2027年量产全球尚未投入实际使用的2nm或者更高端的半导体。

（2）Rapidus由丰田汽车、索尼、日本电装、铠侠、软银、NEC、NTT、三菱日联银行等8家公司联合出资，其中三菱日联银行出资3亿日元，其他公司均出资10亿日元，同时日本政府也将提供700亿日元的补贴。

（3）下一代半导体能够为量子、人工智能等核心技术带来重大革新。日本将在与海外的研究机构和产业界合作的同时，通过日本国内学院和产业界的共同努力，实现强化半导体相关产业竞争力的目标。

闫欣悦编译

来源：

https://www.meti.go.jp/press/2022/11/20221111004/20221111004-1.pdf

原文标题：次世代半導体の設計・製造基盤確立に向けて

检索日期：2022年11月14日
文章来源：中科院知识产权信息（微信订阅号：casipr）

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