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日本计划成立尖端半导体研究技术中心
2022-11-25 11:27:59 阅读

11月11日,日本经济产业省宣布将于2022年年底成立芯片研发机构“尖端半导体技术中心(LSTC)”。同时,将成立Rapidus公司作为下一代半导体的量产基地。具体内容包括:
 
(1)研究开发重点:基于日美合作的2nm半导体集成化技术和短周转时间(TAT)制造技术的研发。LSTC计划在2025-2030年左右具备大规模生产2nm先进制程半导体的能力,于2027年量产全球尚未投入实际使用的2nm或者更高端的半导体。
 
(2)Rapidus由丰田汽车、索尼、日本电装、铠侠、软银、NEC、NTT、三菱日联银行等8家公司联合出资,其中三菱日联银行出资3亿日元,其他公司均出资10亿日元,同时日本政府也将提供700亿日元的补贴。
 
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(3)下一代半导体能够为量子、人工智能等核心技术带来重大革新。日本将在与海外的研究机构和产业界合作的同时,通过日本国内学院和产业界的共同努力,实现强化半导体相关产业竞争力的目标。
 
闫欣悦 编译
来源:
https://www.meti.go.jp/press/2022/11/20221111004/20221111004-1.pdf
原文标题:次世代半導体の設計・製造基盤確立に向けて
检索日期:2022年11月14日
文章来源:中科院知识产权信息(微信订阅号:casipr)
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